SJ 50033.56-1994 半导体分立器件.2CK85型硅开关二极管详细规范

ID

62ACA49ED4E545D5AB54EBF4AD267C86

文件大小(MB)

0.44

页数:

9

文件格式:

pdf

日期:

2024-7-27

购买:

购买或下载

文本摘录(文本识别可能有误,但文件阅览显示及打印正常,pdf文件可进行文字搜索定位):

McUj,中华人民共和国电子行业军用标准,FL 5961 SJ 50033- 56-94,半导体分立器件,2CK85型硅开关二级管详细规范,Semiconductor discrete device,Detail specification for type 2CK85,silicon switching diode,1994-09-30 发布1994-12-01 实施,中华人民共和国电子工业部批准,中华人民共和国电子行业军用标准,半导体分立器件,2CK85型硅开关二级管详细规范,Semiconductor discrete device,Detail specification for type 2CK85,silicon switching diode,sj 50033丒 56—94,范围,1.1 主题内容,本规范规定r 2CK85型硅开关二级管(以下简称器件)的详细要求,1.2 适应范围,本规范适用于器件的研制、生产和采购.,1-3分类,本规范根据器件质量保证等级进行分类,1.3.1器件的等级,按GJB 33《半导体分立器件总规范》1. 3条的规定,提供质量保证等级为普军、特军和超特,军三级,分别用字母GP、GT和GCT表示,2引用文件,GB 4023—86半导体分立器件 第2部分:整流二级管,GB 6571-86小功率信号二极管、稳压及基准电压二极管测试方法,GB 7581-87半导体分立器件外形尺寸,GJB 33—85 半导体分立器件总规范,GJB 128-86半导体分立器试验方法,3要求,3.1详细要求,各项要求应按GJB 33和本规范的规定,3-2设计,结构和外形尺寸,器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB 33和本规范的规定,3. 2-!引出端材料和涂层,引出端材料应为铜包铁丝(材料号:1018),引线涂层应镀锡或浸锡,对引出端另有要求时,中华人民共和国电子工业部1994-09-30发布 1994-12-01实施,—1 —,sj 50033- 56-94,可在合同或订货单中规定(见6. 3条),3.1.I 器件结构,在器件芯片的两面和引出端之间釆用高温冶金键合结构.这种器件为玻璃封接非空腔结,构,3.2.3 外形尺寸,外形尺寸应符合GB 7581中的D2 ーり2A型.え图し,mm,_代号D2 02A,符号ヽ7I寸min max,帆0. 45 0.56,的1. 50 2.2,G 3. 50 , 5"0,H 54. 30,L 25.4Q,ム2.50,ム10,注;Dル为引线弯曲成直角后器件安装的最小轴向长度,图1外形图,3.3 最大额定值和主要电特性,3.3.1 最大额定值,型 号,(mW),F改,(V),y RWM,(V),『凸,(mA) (mA),7%,(C),丁呻,CO,2CK85A,300,45 30,100 500 -55-150 一 55775,2CK85B 60 40,2CK85C 75 50,2CK85D 90 60,注:D7VA60C时,按3.33mW/C线性降额,降额曲线见图2,一 2 一,ww. bzfxw. com下载,sj 50033,56—94,3.3.2 主要电特性,二=25C,型 号,ム—100mA,(V),几,ア}? = Urwm,"A),廉2,Vr - V,T—150 C:,SA),厶「,ム=『h = 20mA,R\ =500,(ns),3,/ ー 。.5MHz,レ‘、之="50mV,Vr -ov,(pF),2CK85A,<1 <0. L 国50 く 50 く 30,2CK85B,2CK85C,2CK85D,3.4 电测试要求,电测试应符合GB 4023、GB 6571及本规范的规定.,3. 5标志,标志应符合GJB 33和本规范的规定。型号标志可不限于?行内,制造厂可省略ド列标志:,制造厂的识别;,b.检验批识别代码,3. 5.1极性标志,器件的负极端应采用鲜明的色带标记,以示出器件的极性,4质量保证规定,4.1 抽样和检验,抽样和检验应按GJB 33和本规范的规定,4.2 鉴定检验,鉴定检验应按&JB 33的规定,4-3筛选(仅对GT和GCT级),筛选应按GJB 33的表2和本规范的规定,其测试应按本规范表1进行,超过本规范表1,极限值的器件应予以剔除,筛选(GJB 33)表2 测 试 或 试 験,3,热冲击除低温为一55 C,循环!0次外,其余同试验条件F 1,4,恒定加速度不要求,5.、密封不要求,6?高温反偏试验条件A, VR =アrwm」二48h,7.中间电参数测试’ %”コ,8.电老化A ~ 1' 51ロ,f = 96h,TA r 25 ± 5 c,9.最后测试,表1的A2分组(直流参数)1,△吟丒=初始值变化的土 50mV, .,々皿=初始值的1。。%或2QnA,取较大者,SJ 50033.56—94,4"质量一一致性检验.,质量一致性检睑应按GJB 33和本规范的规定,4BJ A组檎验,A组检验应按GJB 33和本规范表1的规定进行,4.4.2 B组检验,B组检验应按GJB 33和本规范表2的规定进行,4*4.3 C组检验,C组检验应按GJB 33和本规范表3的规定进行",ム5检験和试验方法,检验和试验方法应按本规范相应的表和下列规定〇,4. 5-1浪涌电流(ム鋼),应在二极管正向施加500mA浪涌峰值电流(ん丽)并且这些峰值电流应与平均整流电流,A)(见3. 3. 1)迭加,采用方波脉冲,牀冲宽度为10ms,占空比为2%,浪涌一次,4-5.2脉冲测试,脉冲测试条件应按GJB 128的3. 3. 2.1的规定,表……

……